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射频晶体管
TGF2060参考图片

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TGF2060

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm
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数量单价合计
100
¥56.3192
5631.92
300
¥52.6354
15790.62
500
¥49.1776
24588.8
1,000
¥45.9458
45945.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
pHEMT
技术
GaAs
增益
12 dB
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 3 V
Id-连续漏极电流
194 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.1 W
安装风格
SMD/SMT
封装
Gel Pack
配置
Single
工作频率
20 GHz
工作温度范围
- 65 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
TGF
类型
GaAs pHEMT
商标
Qorvo
正向跨导 - 最小值
232 mS
NF—噪声系数
1.4 dB
P1dB - 压缩点
28 dBm
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
零件号别名
1098619
商品其它信息
优势价格,TGF2060的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T21H360-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,358.9154
5:¥1,328.5636
10:¥1,301.4436
25:¥1,282.1545
150:¥1,207.8457
参考库存:39650
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 55 Watt 28V GaN Flangeless
100:¥1,639.7656
参考库存:39655
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt
1:¥522.6702
10:¥494.4654
25:¥480.4082
50:¥473.3344
参考库存:6439
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 5A 20W 36V
1,000:¥27.8206
2,000:¥27.1991
参考库存:39662
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2V07H525-04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
150:¥976.7155
参考库存:39667
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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