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射频晶体管
MRF1K50GNR5参考图片

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MRF1K50GNR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50GN/FM4///REEL 13
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数量单价合计
1
¥1,334.9368
1334.9368
5
¥1,306.7433
6533.7165
10
¥1,278.5385
12785.385
25
¥1,246.2657
31156.6425
50
¥1,213.9138
60695.69
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
36 A
Vds-漏源极击穿电压
133 V
增益
23 dB
输出功率
1.5 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230G-4L
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
正向跨导 - 最小值
33.5 S
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
2.941 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935316371578
单位重量
5.282 g
商品其它信息
优势价格,MRF1K50GNR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
1:¥3.3787
10:¥2.825
100:¥1.7289
1,000:¥1.3334
3,000:¥1.1413
参考库存:46850
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 7V VDSS
1:¥12.9046
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2546
1,000:¥6.0116
参考库存:7182
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
10:¥1,731.5894
参考库存:35285
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:97244
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥779.5418
2:¥755.4163
5:¥755.179
10:¥730.8275
参考库存:1861
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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