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射频晶体管
MRF8P20140WHSR3参考图片

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MRF8P20140WHSR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 24W NI780S-4
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数量单价合计
250
¥700.0124
175003.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
16 dB
输出功率
24 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.88 GHz to 2.025 GHz
系列
MRF8P20140WH
商标
NXP / Freescale
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935323134128
单位重量
3.086 g
商品其它信息
优势价格，MRF8P20140WHSR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF5014H-200MHZ
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF5014H-200MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:34901
PD85015TR-E
STMicroelectronics
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
1:¥156.9118
5:¥155.2959
10:¥144.7643
25:¥138.2329
600:¥112.2655
参考库存:34906
D5013UK
Semelab / TT Electronics
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 20W-50V-500MHz SE
50:¥392.7315
100:¥386.5052
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AFV09P350-04NR3
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
250:¥1,497.0014
参考库存:34916
A2T18H410-24SR6
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H410-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,925.8364
参考库存:34921

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