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射频晶体管

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MRF7S15100HSR3

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7 1.5GHZ 28V23W NI780S
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数量单价合计
250
¥830.3353
207583.825
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S
封装
Reel
配置
Single
高度
4.32 mm
长度
20.7 mm
系列
MRF7S15100H
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.91 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
零件号别名
935317045128
单位重量
4.763 g
商品其它信息
优势价格，MRF7S15100HSR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PTFC262157FH-V1-R0
Wolfspeed / Cree
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥945.6744
参考库存:36509
MRF137
Advanced Semiconductor, Inc.
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥379.2845
10:¥341.3278
25:¥322.502
50:¥312.897
100:¥238.8933
参考库存:36514
D1053UK
Semelab / TT Electronics
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50:¥1,194.5569
参考库存:36519
CG2H30070F-TB2
Wolfspeed / Cree
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1:¥7.6049
10:¥6.0681
100:¥4.6669
500:¥4.1132
1,000:¥3.2544
参考库存:36526

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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