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射频晶体管
BFP 620 H7764参考图片

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BFP 620 H7764

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥4.2262
4.2262
10
¥3.5595
35.595
100
¥2.1696
216.96
1,000
¥1.6724
1672.4
3,000
¥1.4238
4271.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
系列
BFP620
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
110
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.3 V
发射极 - 基极电压 VEBO
1.2 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
65 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
185 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP620H7764XTSA1 BFP62H7764XT SP000745302
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格，BFP 620 H7764的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFR340L3E6327XTMA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.2261
100:¥1.2091
1,000:¥0.90626
15,000:¥0.66896
参考库存:80626
PTFB072707FH-V1-R0
Wolfspeed / Cree
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥914.396
参考库存:39144
BFP405H6740XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.1978
参考库存:20633
NSVF3007SG3T1G
ON Semiconductor
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
3,000:¥1.5594
参考库存:18320
MRF6V12500HSR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 500W 50V NI780HS
50:¥2,720.9835
参考库存:39153

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    50万现货SKU

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