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射频晶体管
2SK3074TE12LF参考图片

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2SK3074TE12LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
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数量单价合计
1
¥22.4418
22.4418
10
¥18.0574
180.574
100
¥14.4414
1444.14
500
¥12.6786
6339.3
1,000
¥10.5316
10531.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 A
Vds-漏源极击穿电压
30 V
增益
14.9 dB
输出功率
630 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-Mini-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
530 MHz
系列
2SK3074
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.9 V
单位重量
50 mg
商品其它信息
优势价格,2SK3074TE12LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
1:¥294.3763
5:¥279.4716
10:¥274.6239
25:¥248.9616
500:¥212.3835
参考库存:35879
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥4.2262
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:16763
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230
1:¥2,059.0069
5:¥2,013.1289
10:¥1,971.9404
25:¥1,942.8203
50:¥1,872.2857
参考库存:2695
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
1:¥156.9118
5:¥155.2959
10:¥144.7643
25:¥138.2329
600:¥112.2655
参考库存:35888
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
25:¥2,164.6619
参考库存:35893
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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