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射频晶体管
A3T18H400W23SR6参考图片

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A3T18H400W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T18H400W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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库存:35,195(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,065.9968
1065.9968
5
¥1,045.024
5225.12
10
¥996.3097
9963.097
25
¥975.4047
24385.1175
100
¥926.6113
92661.13
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
16.8 dB
输出功率
71 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1805 MHz to 1880 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935360345128
商品其它信息
优势价格,A3T18H400W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:32115
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN/30V/50mA
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
参考库存:113067
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/Bipolar Radar Transistor
10:¥1,880.3539
25:¥1,854.6125
50:¥1,727.4423
参考库存:35635
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥5,122.4595
5:¥4,800.805
参考库存:2214
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.815
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:3191
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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