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射频晶体管
BFP 740FESD H6327参考图片

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BFP 740FESD H6327

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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥3.1979
31.979
100
¥1.9549
195.49
1,000
¥1.5029
1502.9
3,000
¥1.2882
3864.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFP740
晶体管类型
Bipolar
技术
SiGe
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
160
集电极—发射极最大电压 VCEO
4.2 V
集电极连续电流
45 mA
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSFP-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
工作频率
47 GHz
类型
RF Silicon Germanium
商标
Infineon Technologies
Pd-功率耗散
160 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BFP740FESDH6327XTSA1 BFP74FESDH6327XT SP000890036
单位重量
1.800 mg
商品其它信息
优势价格,BFP 740FESD H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LdmoST 120W 18 dB 860MHz
1:¥1,392.5668
5:¥1,359.0736
10:¥1,325.3318
25:¥1,306.7433
参考库存:34588
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
10,000:¥0.89157
20,000:¥0.82264
50,000:¥0.791
100,000:¥0.76049
参考库存:34593
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TetreFET 40W-12V- 1.0GHz
1:¥1,139.6954
10:¥1,004.1406
25:¥893.265
50:¥800.831
参考库存:34598
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥2,207.229
2:¥2,154.1303
5:¥2,122.6259
10:¥2,092.5792
参考库存:1117
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:105379
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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