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射频晶体管
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MS1008

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库存:36,233(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥636.8454
636.8454
10
¥584.3682
5843.682
25
¥524.433
13110.825
50
¥464.4978
23224.89
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
55 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
10 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
M164
封装
Tray
工作频率
30 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
233 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,MS1008的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2091
参考库存:16645
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥1,061.3864
10:¥973.947
25:¥874.055
50:¥774.163
参考库存:5247
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.2262
10:¥3.5595
100:¥2.1696
1,000:¥1.6724
3,000:¥1.4238
参考库存:16404
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 3W 20V
1:¥19.8993
10:¥16.0573
100:¥12.8368
500:¥11.30
1,000:¥9.379
参考库存:9286
射频晶体管
射频开发工具
暂无价格
参考库存:38649
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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