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射频晶体管
MMRF1317HSR5参考图片

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MMRF1317HSR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1317HS/CFM4F///REEL 13
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50
¥4,328.9396
216446.98
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 105 V
增益
18.2 dB
输出功率
1.3 kW
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230S-4S-4
封装
Reel
工作频率
1.02 GHz to 1.1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
869 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
零件号别名
935323794178
单位重量
8.518 g
商品其它信息
优势价格，MMRF1317HSR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF24300GNR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300GN/FM2///REEL 13 Q2 DP
250:¥853.15
参考库存:37825
D1017UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-28V-175MHz SE
1:¥905.8645
10:¥796.5257
25:¥708.0015
50:¥635.1617
参考库存:37830
AFV10700GSR5
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV10700GS/CFM4///REEL 13
50:¥3,124.4726
参考库存:37835
2731-20
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
20:¥1,788.1459
25:¥1,763.6362
50:¥1,642.7601
参考库存:37840
MAPRST1214-30UF
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 30W Gain:7.5dB
7:¥2,172.1877
10:¥2,137.1464
25:¥2,060.0804
参考库存:37845

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