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射频晶体管
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D2082UK

  • Semelab / TT Electronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TetreFET 40W-12V- 1.0GHz
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数量单价合计
1
¥1,139.6954
1139.6954
10
¥1,004.1406
10041.406
25
¥893.265
22331.625
50
¥800.831
40041.55
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
TT Electronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1.6 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
8 dB
输出功率
40 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DK
配置
Dual
工作频率
1 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Semelab / TT Electronics
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V to 7 V
商品其它信息
优势价格，D2082UK的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFR 92P E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 TRANS GP BJT NPN 15V 0.045A
1:¥2.8476
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.71416
参考库存:103751
MRF8S9220HSR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 WCDMA 66W 28V NI780S
1:¥952.9742
5:¥934.4535
10:¥903.6384
25:¥865.3766
250:¥775.9258
参考库存:36159
BFP740FESDH6327XTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BI
1:¥3.842
10:¥3.1979
100:¥1.9549
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:23713
BFR 840L3RHESD E6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
15,000:¥1.4464
45,000:¥1.4012
参考库存:36166
BFR 380F H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.616
10:¥2.3504
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
3,000:¥0.59212
参考库存:242655

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    50万现货SKU

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