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射频晶体管
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MRF6VP11KHR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 130MHZ 1000W NI1230
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1
¥2,059.0069
2059.0069
5
¥2,013.1289
10065.6445
10
¥1,971.9404
19719.404
25
¥1,942.8203
48570.5075
50
¥1,872.2857
93614.285
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
110 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual Common Source
高度
5.08 mm
长度
41.28 mm
系列
MRF6VP11KH
类型
RF Power MOSFET
宽度
10.29 mm
商标
NXP / Freescale
通道模式
Enhancement
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
零件号别名
935309981178
单位重量
13.155 g
商品其它信息
优势价格，MRF6VP11KHR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MAPR-002731-115M00
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 2.7-2.9GHz Gain7.6dB 115W VSWR: 2.1
5:¥2,516.4309
参考库存:35204
T1G2028536-FS
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
1:¥3,903.472
25:¥3,597.4228
参考库存:1818
A2T26H165-24SR3
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T26H165-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
250:¥719.5275
参考库存:35211
D1005UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 80W-28V-175HMz SE
1:¥751.9585
10:¥661.2082
25:¥587.7469
50:¥527.2015
参考库存:35216
MMBTH10RG
ON Semiconductor / Fairchild
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN RF Transistor
1:¥2.9154
10:¥1.921
100:¥0.82264
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
参考库存:48960

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