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射频晶体管
MMBF5486参考图片

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MMBF5486

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥1.9888
19.888
100
¥0.85315
85.315
1,000
¥0.66105
661.05
3,000
¥0.49946
1498.38
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压
- 25 V
Id-连续漏极电流
20 mA
最大漏极/栅极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
225 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
产品
RF JFET
系列
MMBF5486
类型
JFET
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
0.004 S to 0.008 S
闸/源截止电压
- 6 V
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
31 mg
商品其它信息
优势价格,MMBF5486的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor
25:¥2,151.52
参考库存:37684
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 136-941 MHz 6 W 7.5V
1:¥28.3517
10:¥24.1255
100:¥20.905
250:¥19.8202
1,000:¥15.0629
参考库存:13838
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
1:¥1,035.3399
5:¥1,014.9773
10:¥967.6416
25:¥947.3581
100:¥899.9546
150:¥837.1718
参考库存:37691
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 250W 36V 960-1215 MHz LDMOS TRANSISTOR
15:¥1,219.2926
30:¥1,202.2409
参考库存:37696
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF1K50H-TF4/HWONLY///BOARDS NO MARK
1:¥10,051.0562
5:¥9,943.096
参考库存:4200
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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