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晶体管
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ZXM62P03E6TA

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数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.5313
45.313
100
¥2.9154
291.54
1,000
¥2.3391
2339.1
3,000
¥2.3391
7017.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-26-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
10.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
625 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.3 mm
长度
3.1 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXM62P0
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.8 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
1.1 S
下降时间
10.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.9 ns
典型接通延迟时间
2.8 ns
单位重量
15 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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48,000:¥0.83733
96,000:¥0.80682
参考库存:34642

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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