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晶体管
PTFB213004F-V2-R250参考图片

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PTFB213004F-V2-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥1,097.7385
274434.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
30 mOhms
增益
18 dB
输出功率
300 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275-6/2
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB213004F-V2-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PMSS3906,115
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS SW TAPE-7
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10:¥1.03734
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DMB2227A-7
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NSVT30010MXV6T1G
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PBSS5330PA,115
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V 3A PNP LO VCEsat TRANSISTOR
1:¥3.4578
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BFR182E6327HTSA1
Infineon Technologies
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1:¥3.5369
10:¥2.5199
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1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:24458

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