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晶体管
D3S080N65E-T参考图片

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D3S080N65E-T

  • D3
  • 新批次
  • MOSFET 80 mOhm 650V
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数量单价合计
800
¥15.368
12294.4
2,400
¥14.5996
35039.04
4,800
¥14.0572
67474.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
D3 Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
29.1 A
Rds On-漏源导通电阻
80 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
77 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
134 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
D3
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
优势价格，D3S080N65E-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BC847AW-G
Comchip Technology
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 6V, 10uA
3,000:¥0.41471
9,000:¥0.35369
24,000:¥0.33787
45,000:¥0.31527
99,000:¥0.26894
参考库存:30164
340S14-UR
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low-Noise Matched Transistor Array
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ZXT12N50DXTC
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500:¥34.0356
1,000:¥29.6625
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2,500:¥9.2999
5,000:¥8.9948
10,000:¥8.6106
参考库存:30184

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