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晶体管
STB10NK60Z-1参考图片

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STB10NK60Z-1

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
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库存:32,084(价格仅供参考)
数量单价合计
1,000
¥10.5994
10599.4
2,000
¥9.831
19662
5,000
¥9.4468
47234
10,000
¥9.1417
91417
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
750 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
50 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
115 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
封装
Tube
高度
8.95 mm
长度
10 mm
系列
STB10NK60Z
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
7.8 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,STB10NK60Z-1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥7.0738
10:¥5.9212
100:¥3.8194
1,000:¥3.0623
参考库存:12410
晶体管
IGBT 晶体管 600V -50A SMART POWER MODULE
1:¥458.6557
5:¥448.3614
10:¥430.8464
25:¥417.0152
参考库存:29482
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥38.8833
10:¥33.0412
100:¥28.6568
250:¥27.1991
500:¥24.3628
参考库存:6057
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 50V
700:¥1.7515
2,100:¥1.7515
9,800:¥1.695
24,500:¥1.6159
49,700:¥1.5933
参考库存:29489
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 40V 40A 6.7mOhm SGL N-CH
1,500:¥4.2488
9,000:¥4.0906
参考库存:29494
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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