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晶体管
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MMRF1312HR5

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1312H/CFM4F///REEL 13
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50
¥4,073.6726
203683.63
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 112 V
增益
19.6 dB
输出功率
1 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230H-4S-4
封装
Reel
工作频率
900 MHz to 1.215 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
通道数量
2 Channel
Pd-功率耗散
1.053 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.8 V
零件号别名
935316216178
单位重量
13.193 g
商品其它信息
优势价格，MMRF1312HR5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5655
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥10.9836
10:¥8.9948
100:¥7.458
500:¥5.7517
参考库存:13147
FF400R12KE3
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IGBT 模块 1200V 400A DUAL HALF BRIDGE
1:¥1,217.1456
5:¥1,187.7882
10:¥1,158.363
25:¥1,142.0684
参考库存:3634
CMUT2907A TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP
1:¥3.2996
10:¥2.3843
100:¥1.3673
1,000:¥0.99892
3,000:¥0.86106
参考库存:3576
CMPT491E TR
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Enhanced
1:¥3.842
10:¥2.4634
100:¥1.1978
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.76049
参考库存:46573
BC 817K-40W H6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥1.8419
10:¥1.2656
100:¥0.52997
1,000:¥0.3616
3,000:¥0.28476
参考库存:166530

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