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晶体管
DGTD65T40S1PT参考图片

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DGTD65T40S1PT

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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数量单价合计
1
¥36.8041
36.8041
10
¥31.2784
312.784
100
¥27.12
2712
250
¥25.7414
6435.35
500
¥23.052
11526
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
341 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
5.600 g
商品其它信息
优势价格,DGTD65T40S1PT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 230V 15A 150W
1:¥24.8939
10:¥21.2101
100:¥18.3625
250:¥17.4472
参考库存:3821
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.150 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥39.6517
10:¥33.6514
100:¥29.1992
250:¥27.6624
参考库存:3673
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 80V 0.5A
1:¥1.921
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
参考库存:55340
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:169332
晶体管
MOSFET 60 V 120A 375 W AEC-Q101 Qualified
1:¥26.2047
10:¥23.2102
100:¥19.0518
250:¥17.5941
800:¥12.5995
2,400:查看
参考库存:351239
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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