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晶体管
IPP60R160C6XKSA1参考图片

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IPP60R160C6XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 23.8A TO220-3 CoolMOS C6
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数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥21.8994
218.994
100
¥18.984
1898.4
250
¥17.9783
4494.575
500
¥16.1364
8068.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
23.8 A
Rds On-漏源导通电阻
140 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
75 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
176 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
96 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPP60R160C6 IPP6R16C6XK SP000652796
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP60R160C6XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MJE5731G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A 350V 40W PNP
1:¥8.2264
10:¥7.006
100:¥5.3901
500:¥4.7573
1,000:¥3.7629
参考库存:8959
FD400R12KE3_B5
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module
1:¥1,102.3489
5:¥1,080.6755
10:¥1,030.2662
25:¥1,008.751
参考库存:4541
2DB1694-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LOW VSAT PNP SMT 3K
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:28178
DSC5G0200L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 2.0x2.1mm
1:¥3.4578
10:¥1.9436
100:¥1.03734
500:¥0.86784
3,000:¥0.48364
9,000:查看
参考库存:78185
2N6341G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25A 150V 200W NPN
1:¥93.0555
10:¥85.5975
20:¥82.0606
100:¥72.3087
参考库存:4987

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    50万现货SKU

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