TSM130NB06LCR RLG详细信息_TSM130NB06LCR RLG相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Taiwan Semiconductor
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PDFN56-8
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Id-连续漏极电流	51 A
Rds On-漏源导通电阻	13 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压	1 V
Vgs - 栅极-源极电压	20 V
Qg-栅极电荷	37 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
Pd-功率耗散	83 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
封装	Reel
系列	TSM
晶体管类型	Single N-Channel Power MOSFET
商标	Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值	39 S
下降时间	19 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	19 ns
工厂包装数量	2500
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	23 ns
典型接通延迟时间	2 ns

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2N3467	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	1:¥105.881 10:¥96.2082 25:¥89.0553 50:¥84.2189	参考库存:29130
BC807-25T116	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT PNP 45V 0.05A 3PIN	1:¥3.3787 10:¥2.1696 100:¥0.9379 1,000:¥0.71416 3,000:¥0.54579	参考库存:29135
TSM500P02CX RFG	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 20V P channel Power Mosfet	1:¥4.9155 10:¥3.4578 100:¥2.26 500:¥1.3334 3,000:¥0.89948 9,000:查看	参考库存:29140
BCX53H6327XTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS	1:¥3.2996 10:¥2.5199 100:¥1.3673 1,000:¥1.02943 2,000:¥0.88366 10,000:¥0.82942	参考库存:29145
EMA3T2R	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRANS DIGI BJT PNP 50V 100MA 5PIN	1:¥3.1527 10:¥1.9888 100:¥0.85315 1,000:¥0.66105 8,000:¥0.44522 24,000:查看	参考库存:29150