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晶体管
TK20A60U(STA4,Q,M)参考图片

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TK20A60U(STA4,Q,M)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch FET 600V 12s IDSS 100 uA
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Qg-栅极电荷
27 nC
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
商标名
DTMOSIV
高度
15 mm
长度
10 mm
产品
DTMOS
系列
TK20A60U
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
80 ns
商品其它信息
优势价格，TK20A60U(STA4,Q,M)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMC2700UDMQ-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥2.9154
10:¥2.2374
100:¥1.2091
1,000:¥0.91417
参考库存:33972
STGWA8M120DF3
STMicroelectronics
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss
1:¥27.5042
10:¥23.3571
100:¥20.2835
250:¥19.21
参考库存:34474
IPB70N12S3L12ATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 100+
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
参考库存:9029
FCX558QTA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Hi Voltage Transistor SOT89 T&R 1K
1:¥4.4522
10:¥3.7064
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
参考库存:14031
DMTH6016LK3-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.616
10:¥2.9832
100:¥1.8193
1,000:¥1.4012
2,500:¥1.1978
参考库存:15783

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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