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晶体管
STI20N65M5参考图片

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STI20N65M5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmesh(TM) M5
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数量单价合计
1
¥29.041
29.041
10
¥24.6679
246.679
100
¥21.357
2135.7
250
¥20.2835
5070.875
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
160 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
36 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
130 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STI20N65M5
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，STI20N65M5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJU002N06T106
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:16296
BCP5616H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.4578
10:¥2.8815
100:¥1.7628
1,000:¥1.356
2,000:¥1.1639
参考库存:85788
2SK3566(STA4,Q,M)
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
1:¥12.9837
10:¥10.3734
100:¥7.9891
500:¥7.0399
参考库存:5765
ALD212900PAL
Advanced Linear Devices
晶体管
MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
1:¥40.341
10:¥36.1148
25:¥32.4988
50:¥31.6626
参考库存:3352
DTC144WKAT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:35439

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    50万现货SKU

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