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晶体管
2SK3566(STA4,Q,M)参考图片

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2SK3566(STA4,Q,M)

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm
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数量单价合计
1
¥12.9837
12.9837
10
¥10.3734
103.734
100
¥7.9891
798.91
500
¥7.0399
3519.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
900 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
5.6 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
封装
Tube
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
2SK3566
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
2 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFR210TRLPBF
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2,500:¥1.3334
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Diodes Incorporated
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1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
10,000:¥0.49155
20,000:查看
参考库存:89139
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Trnsistr
1:¥3.3787
10:¥2.8137
100:¥1.7176
1,000:¥1.3334
参考库存:48746

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