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晶体管
IKW75N60TAFKSA1参考图片

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IKW75N60TAFKSA1

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数量单价合计
1
¥78.6819
78.6819
10
¥71.1561
711.561
25
¥67.8452
1696.13
100
¥58.8617
5886.17
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
428 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW75N60TA IKW75N6TAXK SP000647368
商品其它信息
优势价格,IKW75N60TAFKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30V NPN Low Sat
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
参考库存:22117
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
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晶体管
MOSFET -30V P-Channel Power Trench
1:¥6.3732
10:¥5.4466
100:¥4.181
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3,000:¥2.5877
9,000:查看
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 40V Dual Complementary
1:¥1.6159
10:¥1.469
100:¥0.52206
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥1.4577
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23052
参考库存:42210
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    50万现货SKU

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