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晶体管
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IKD06N60RFATMA1

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数量单价合计
1
¥11.1418
11.1418
10
¥9.4468
94.468
100
¥7.3111
731.11
500
¥6.4636
3231.8
2,500
¥4.5313
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-252-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
12 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKD06N60RF IKD6N6RFXT SP000939364
单位重量
333 mg
商品其它信息
优势价格，IKD06N60RFATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK12A55D(STA4,Q,M)
Toshiba
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100:¥7.0964
500:¥6.2715
2,000:¥4.3844
10,000:查看
参考库存:16780

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    品类不断扩充

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