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晶体管
IRGP30B60KD-EP参考图片

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IRGP30B60KD-EP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V UltraFast 5-40kHz
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库存:4,978(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.0984
47.0984
10
¥42.5671
425.671
25
¥40.567
1014.175
100
¥35.1882
3518.82
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.35 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
304 W
最小工作温度
- 55 C
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
400
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001549784
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IRGP30B60KD-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 12V P-Ch Enh Mode 19Vgs 2712pF 28.6nC
1:¥3.7629
10:¥3.1301
100:¥1.9097
1,000:¥1.4803
3,000:¥1.2656
参考库存:33350
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
参考库存:8927
晶体管
MOSFET BUK7K89-100E/LFPAK56D/REEL 7
1:¥6.9947
10:¥5.7969
100:¥3.7403
1,000:¥2.9945
1,500:¥2.5312
参考库存:11559
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 25V 5A
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
2,500:¥1.11418
参考库存:16811
晶体管
MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 40V N-CHANNEL
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.8419
参考库存:11173
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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