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晶体管
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SI2315BDS-T1-E3

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数量单价合计
1
¥5.1528
5.1528
10
¥4.1697
41.697
100
¥3.164
316.4
500
¥2.6103
1305.15
1,000
¥2.0905
2090.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
0.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI2
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
7 S
下降时间
50 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
50 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
SI2315BDS-E3
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，SI2315BDS-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RJK6032DPH-E0#T2
Renesas Electronics
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MOSFET MOSFET
暂无价格
参考库存:38700
2N3636L
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1:¥115.8024
10:¥105.2708
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参考库存:38705
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100:¥671.3556
参考库存:38710
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50:¥1,716.8316
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MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
1:¥24.4306
10:¥20.7468
100:¥18.0574
250:¥17.1308
500:¥15.368
参考库存:12565

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