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晶体管

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BSM50GD120DN2E3226

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库存:25,137(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1,067.2285
1067.2285
5
¥1,046.2557
5231.2785
10
¥997.4623
9974.623
25
¥976.5573
24413.9325
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
200 nA
Pd-功率耗散
350 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45.5 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM50GD120DN2E3226BOSA1 SP000100366
商品其它信息
优势价格,BSM50GD120DN2E3226的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 40V 4.2 mOhm Standard MOSFET
1:¥6.8365
10:¥5.7178
100:¥3.6838
1,000:¥2.9493
1,500:¥2.9493
参考库存:47017
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥8.4524
10:¥7.232
100:¥5.5483
500:¥4.9155
1,000:¥3.8759
参考库存:33719
晶体管
MOSFET PTNG 80/20V IN 5X6
1:¥12.7577
10:¥10.8367
100:¥8.6784
500:¥7.571
3,000:¥5.8421
6,000:查看
参考库存:17066
晶体管
MOSFET N-channel 40 V, 0.0021 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2885
参考库存:7068
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1600V 180A
1:¥939.369
5:¥920.9274
10:¥877.9761
25:¥859.5345
参考库存:2210
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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