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晶体管

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FF800R12KE3

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数量单价合计
1
¥5,868.4968
5868.4968
5
¥5,774.6842
28873.421
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
1200 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
3.9 kW
封装 / 箱体
IHM130
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
38 mm
长度
140 mm
宽度
130 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
2
子类别
IGBTs
零件号别名
FF800R12KE3NOSA1 SP000100571
商品其它信息
优势价格,FF800R12KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 30MA SOT-323
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:9458
晶体管
MOSFET N Ch P Ch 100/-100V AEC-Q101 Qualified
1:¥8.8366
10:¥7.7631
100:¥6.3506
500:¥4.972
3,000:¥3.616
6,000:查看
参考库存:267665
晶体管
MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
1:¥15.4471
10:¥12.8368
100:¥9.9101
500:¥8.6784
3,000:¥8.6784
参考库存:20967
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT-223 PNP GP AMP
1:¥4.0002
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
4,000:¥1.06785
参考库存:9824
晶体管
MOSFET MV POWER MOS
1:¥51.0986
10:¥46.1831
25:¥44.0248
100:¥38.194
2,000:¥28.9732
参考库存:32066
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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