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晶体管
SIR662DP-T1-GE3参考图片

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SIR662DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
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数量单价合计
1
¥15.4471
15.4471
10
¥12.8368
128.368
100
¥9.9101
991.01
500
¥8.6784
4339.2
3,000
¥8.6784
26035.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
96 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
82 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
SIR662DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SIR662DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SC3646S-P-TD-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1A 100V
1:¥5.0737
10:¥4.2601
100:¥2.7459
1,000:¥2.1922
2,000:¥1.8532
参考库存:30302
A2T07D160W04SR3
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1:¥936.4536
5:¥918.3171
10:¥887.9653
25:¥850.3928
参考库存:29874
MMRF1015GNR1
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1:¥157.9062
5:¥150.9906
10:¥145.6909
25:¥127.0911
参考库存:29879
PDTD123YT,215
Nexperia
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双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.0679
100:¥0.86784
1,000:¥0.59212
3,000:¥0.46104
参考库存:33344
BUK9606-40B,118
Nexperia
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8252
500:¥6.0342
800:¥4.7686
参考库存:29316

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    50万现货SKU

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