PDTD123YT,215详细信息_PDTD123YT,215相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Nexperia
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	0.219
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-23-3
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	500 mA
峰值直流集电极电流	500 mA
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	3 mm
宽度	1.4 mm
商标	Nexperia
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
资格	AEC-Q101
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	PDTD123YT T/R
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
PQMD3Z	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PQMD3/DFN1010B-6/REEL 7" Q2/T3	1:¥2.8476 10:¥1.9097 100:¥0.79891 1,000:¥0.54579 5,000:¥0.42262	参考库存:29147
AUIRFB8407	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.4mOhm 195A	1:¥23.5153 10:¥19.9784 100:¥17.289 250:¥16.4415	参考库存:7299
2N4058	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 30Vcbo PNP Low Noise 30Vceo 625mW 200mA	1:¥5.537 10:¥4.7686 100:¥3.3109 1,000:¥2.4634	参考库存:19826
IPG20N04S4L-07	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 40V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2	1:¥11.8311 10:¥10.0683 100:¥8.0682 500:¥7.0286 5,000:¥5.2206 10,000:查看	参考库存:83158
C3M0280090J	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280 mOhm	1:¥28.0466 100:¥26.9731 500:¥25.6623	参考库存:10645