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晶体管
IPS65R1K4C6参考图片

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IPS65R1K4C6

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库存:9,129(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9099
59.099
100
¥4.5313
453.13
500
¥4.0115
2005.75
1,000
¥3.164
3164
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
3.2 A
Rds On-漏源导通电阻
1.26 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
10.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
28 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
6.22 mm
长度
6.73 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
2.38 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
18.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.9 ns
工厂包装数量
1500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
7.7 ns
零件号别名
IPS65R1K4C6AKMA1 SP000991120
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,IPS65R1K4C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs 1206-8 ChipFET
1:¥5.763
10:¥4.6669
100:¥3.5369
500:¥2.9154
3,000:¥2.9154
参考库存:119570
晶体管
MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=20V
1:¥2.5312
10:¥1.6385
100:¥0.68365
1,000:¥0.46895
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:49152
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single
1:¥295.2238
2:¥287.2234
5:¥279.2343
10:¥271.3243
参考库存:2969
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
1:¥1.5368
10:¥1.3334
100:¥0.47686
1,000:¥0.31527
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:129881
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥1.921
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.30736
参考库存:208418
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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