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晶体管
STP32NM50N参考图片

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STP32NM50N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 500V 0.1 Ohm 22A MDmesh II FET
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数量单价合计
1
¥44.3412
44.3412
10
¥37.6516
376.516
100
¥32.657
3265.7
250
¥30.962
7740.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
13.86 A
Rds On-漏源导通电阻
130 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
62.5 nC
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
商标名
MDmesh
系列
STP32NM50N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
23.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
21.5 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，STP32NM50N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK39N60W5,S1VF
Toshiba
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1:¥71.6872
10:¥64.5456
25:¥58.7826
50:¥57.3249
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IRFP460PBF
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参考库存:30813
FDV303N
ON Semiconductor / Fairchild
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1:¥2.9154
10:¥2.0001
100:¥0.83733
1,000:¥0.56839
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SCT2H12NZGC11
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1:¥45.6407
10:¥41.2676
25:¥39.3466
100:¥34.1938
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NPT2021
MACOM
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
1:¥562.0846
2:¥552.9429
5:¥541.1118
10:¥532.4221
参考库存:4374

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