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晶体管
SSM3J117TU,LF参考图片

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SSM3J117TU,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET Vds=-30V Id=-2A 3Pin
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库存:24,302(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.3844
4.3844
10
¥2.5312
25.312
100
¥1.1978
119.78
1,000
¥0.92208
922.08
3,000
¥0.76049
2281.47
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UFM-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
2 A
Rds On-漏源导通电阻
225 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
800 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.7 mm
长度
2 mm
产品
MOSFET
系列
SSM3J117
类型
Power MOSFET
宽度
1.7 mm
商标
Toshiba
正向跨导 - 最小值
1.6 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SSM3J117TU,LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET PT8 40V/20V LL NCh PowerTrench MOSFET
1:¥6.6896
10:¥5.6048
100:¥3.616
1,000:¥2.8928
3,000:¥2.4408
参考库存:10478
晶体管
MOSFET P-Ch -100V -680mA SOT-223-3
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
参考库存:21880
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi
1:¥223.9886
5:¥213.9203
10:¥207.242
25:¥190.405
参考库存:4532
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR SPCL TR
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:61079
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Trnsistr
1:¥3.3787
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
参考库存:11276
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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