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晶体管
BSZ058N03MS G参考图片

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BSZ058N03MS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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库存：20,230(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.4523
6.4523
10
¥5.3675
53.675
100
¥3.4578
345.78
1,000
¥2.7685
2768.5
5,000
¥2.3391
11695.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
4.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
45 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
35 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
BSZ058N03MSGATMA1 BSZ58N3MSGXT SP000311508
商品其它信息
优势价格，BSZ058N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMC3071LVT-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.7629
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:16084
NSVBC848CDW1T1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SC88 GP XSTR NPN 30V
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:1081086
AC847BWQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
1:¥1.6159
10:¥1.07576
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:401088
MRFX1K80H-230MHZ
NXP Semiconductors
晶体管
射频开发工具 1800W - 230MHz
1:¥6,915.826
参考库存:31540
DMNH45M7SCT
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥13.221
10:¥11.2209
100:¥8.9948
500:¥7.8422
1,000:¥6.5201
参考库存:31545

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    50万现货SKU

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