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晶体管
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BSP88 H6327

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库存:16,084(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.4917
34.917
100
¥2.1357
213.57
1,000
¥1.6498
1649.8
2,000
¥1.4012
2802.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
240 V
Id-连续漏极电流
350 mA
Rds On-漏源导通电阻
4 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
BSP88
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
190 mS
下降时间
18.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17.9 ns
典型接通延迟时间
3.6 ns
零件号别名
BSP88H6327XTSA1 SP001058790
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,BSP88 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
10,000:¥2.2148
参考库存:34077
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor planar high Vltg
10,000:¥0.87575
24,000:¥0.79891
50,000:¥0.7684
参考库存:34082
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥895.2651
参考库存:34087
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥937.2898
参考库存:34092
晶体管
MOSFET 700V 30Vgs 7.0A 36W 2.5nC 0.48Ohm
900:¥7.6727
1,050:¥6.3506
参考库存:34097
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    50万现货SKU

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    保证原装正品

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