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晶体管
BSO220N03MD G参考图片

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BSO220N03MD G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
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数量单价合计
1
¥6.3054
6.3054
10
¥5.2545
52.545
100
¥3.39
339
1,000
¥2.712
2712
2,500
¥2.712
6780
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.7 A
Rds On-漏源导通电阻
18.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
9 S
下降时间
3.4 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.4 ns
典型接通延迟时间
5.7 ns
零件号别名
BSO220N03MDGXUMA1 BSO22N3MDGXT SP000447478
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,BSO220N03MD G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
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3,000:¥0.41471
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1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
2,000:¥0.33787
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1:¥5.763
10:¥4.746
100:¥3.0623
1,000:¥2.4521
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.4747
1,000:¥1.9775
2,000:¥1.6724
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1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
8,000:¥0.35369
24,000:查看
参考库存:93130
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