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晶体管
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RM110N85T2

  • Rectron
  • 新批次
  • MOSFET TO-251 MOSFET
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库存：32,012(价格仅供参考)
数量单价合计
1,600
¥4.407
7051.2
3,200
¥3.7855
12113.6
5,600
¥3.4465
19300.4
10,400
¥3.1527
32788.08
25,600
¥3.0962
79262.72
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
85 V
Id-连续漏极电流
110 A
Rds On-漏源导通电阻
6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
54 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
145 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
40 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FMMT619TA
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SuperSOT
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
3,000:¥1.4238
参考库存:166365
IRG4BC40SPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V DC-1 KHZ (STD) DISCRETE IGBT
1:¥28.9732
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
参考库存:10487
STLD128DNT4
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN power transistor
1:¥6.3732
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.2939
参考库存:9149
JANSR2N3700UB
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥907.4013
5:¥879.0496
10:¥850.6188
25:¥810.9671
参考库存:2346
SMBTA 14 E6327
Infineon Technologies
晶体管
达林顿晶体管 AF Darlington NPN 30V 0.3A
1:¥3.6838
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
参考库存:79008

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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