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晶体管
SIA414DJ-T1-GE3参考图片

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SIA414DJ-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 8.0V 12A 19W 11mohm @ 4.5V
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数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥5.9777
59.777
100
¥4.5878
458.78
500
¥3.955
1977.5
1,000
¥3.1075
3107.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SC-70-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
8 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
11 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
350 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
19 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
19 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIA
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SIA414DJ-GE3
单位重量
1 g
商品其它信息
优势价格,SIA414DJ-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:30179
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    50万现货SKU

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