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晶体管
SIHP050N60E-GE3参考图片

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SIHP050N60E-GE3

  • Vishay
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
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数量单价合计
1
¥71.4612
71.4612
10
¥64.3874
643.874
25
¥58.6244
1465.61
100
¥52.9405
5294.05
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
51 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
130 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
278 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
48 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
82 ns
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
67 ns
典型接通延迟时间
35 ns
商品其它信息
优势价格，SIHP050N60E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMDT3906V-TP
Micro Commercial Components (MCC)
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 200mA 40V
3,000:¥0.58421
9,000:¥0.52206
24,000:¥0.49155
45,000:¥0.43053
参考库存:30777
BDP948H6327XTSA1
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
参考库存:30782
RJH60F4DPQ-A0#T0
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晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥32.657
10:¥29.1992
25:¥26.2838
50:¥25.1312
参考库存:30787
2SB1216T-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 4A 100V
暂无价格
参考库存:30792
BCR553E6327HTSA1
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双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥2.0227
100:¥0.84524
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.45313
参考库存:30797

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