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晶体管
SI4936CDY-T1-E3参考图片

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SI4936CDY-T1-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.9832
298.32
500
¥2.4634
1231.7
1,000
¥2.0566
2056.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5.8 A
Rds On-漏源导通电阻
40 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.3 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
SI4
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
11 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,SI4936CDY-T1-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 900A
1:¥5,321.4751
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双极晶体管 - 预偏置 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 6-Pin
1:¥2.4634
10:¥1.7176
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:119995
晶体管
MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
1:¥22.2836
10:¥18.9049
100:¥16.3624
250:¥15.594
1,000:¥11.752
2,000:查看
参考库存:13047
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 17.5A TO220-3
1:¥27.9675
10:¥23.8204
100:¥20.5886
250:¥19.5151
参考库存:5549
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥44.3412
10:¥37.6516
100:¥32.657
250:¥30.962
500:¥27.8206
参考库存:5386
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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