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晶体管
TSM60NB099PW C1G参考图片

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TSM60NB099PW C1G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 38A
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库存:12,602(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥59.325
59.325
10
¥53.4038
534.038
25
¥48.6352
1215.88
50
¥46.4882
2324.41
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
86 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
62 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
329 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
N-Channel Power MOSFET
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
87 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格,TSM60NB099PW C1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
10:¥358.9219
参考库存:3672
晶体管
MOSFET N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥3.9211
10:¥2.9945
100:¥2.2261
500:¥1.8193
3,000:¥1.2882
6,000:查看
参考库存:88094
晶体管
MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
1:¥14.5996
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.7575
2,500:¥6.7122
5,000:查看
参考库存:19621
晶体管
MOSFET NFET D2PAK 100V 40A 30MO
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
800:¥7.1755
参考库存:13423
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 75W 12.5V TO270WB4G
1:¥165.8953
10:¥152.5274
25:¥145.77
100:¥128.8652
500:¥111.2598
参考库存:5915
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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