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晶体管

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STGB15H60DF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 15 A high speed
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库存：9,101(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.4361
21.4361
10
¥18.2156
182.156
100
¥14.5996
1459.96
500
¥12.7577
6378.85
1,000
¥10.5316
10531.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
115 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGB15H60DF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格，STGB15H60DF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FCA20N60F
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 600V N-CH FRFET
1:¥30.6569
10:¥26.0465
100:¥22.5887
250:¥21.4361
参考库存:3967
IRLR7807ZTRPBF
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.8mOhms 7nC
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
2,000:¥2.938
参考库存:15869
STN851
STMicroelectronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Lo-Volt Fast Sw
1:¥6.0681
10:¥5.085
100:¥3.277
1,000:¥2.6329
2,000:¥2.2261
参考库存:90301
PBSS306NZ,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:40583
FDME1034CZT
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 20V Complementary PowerTrench
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
5,000:¥1.7628
参考库存:37710

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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