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晶体管
IPP50R199CP参考图片

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IPP50R199CP

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 500V 17A TO220-3 CoolMOS CP
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库存:6,628(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.4418
22.4418
10
¥19.0518
190.518
100
¥16.5206
1652.06
250
¥15.6731
3918.275
500
¥14.0572
7028.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
180 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
139 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
35 ns
零件号别名
IPP50R199CPHKSA1 IPP5R199CPXK SP000236074
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IPP50R199CP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 20V P-CH MOSFET
1:¥3.1527
10:¥2.0679
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:310162
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥54.6355
10:¥54.1722
25:¥49.3358
100:¥44.5672
参考库存:4779
晶体管
MOSFET 150V N-Channel QFET
1:¥13.1419
10:¥11.1418
100:¥8.9157
500:¥7.8422
1,000:¥6.4523
参考库存:11146
晶体管
MOSFET NFET 100V 170MA 6OH
1:¥2.9945
10:¥2.0679
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.62263
参考库存:60498
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥249.6509
5:¥238.43
10:¥230.9833
25:¥212.2366
参考库存:2415
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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