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晶体管
A2P75S12M3参考图片

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A2P75S12M3

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:4,211(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥465.2662
465.2662
5
¥454.8137
2274.0685
10
¥437.0614
4370.614
25
¥422.9251
10573.1275
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Sixpack
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
454.5 W
封装 / 箱体
ACEPACK2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A2P75S12M3
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
优势价格,A2P75S12M3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 1.0A 1.2W
1:¥4.5313
10:¥3.8646
100:¥2.6781
1,000:¥2.0001
2,000:¥1.6837
参考库存:12974
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
2,000:¥0.59212
参考库存:17956
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 100V 5.25A
1:¥5.6048
10:¥4.7234
100:¥3.0397
1,000:¥2.4408
参考库存:30608
晶体管
达林顿晶体管 -500V 200mW
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:18880
晶体管
MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥4.068
10:¥3.3787
100:¥2.0679
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.356
参考库存:32932
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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