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晶体管
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STB33N60M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
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数量单价合计
1
¥28.4308
28.4308
10
¥24.2046
242.046
100
¥20.9728
2097.28
250
¥19.8993
4974.825
1,000
¥15.0629
15062.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
26 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
45.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
190 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB33N60M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.6 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
109 ns
典型接通延迟时间
16 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，STB33N60M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N4300
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
500:¥38.7251
1,000:¥36.5781
2,000:¥35.1882
参考库存:35150
DMN1008UFDF-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
10,000:¥0.87575
参考库存:35155
MG12225WB-BN2MM
Littelfuse
晶体管
IGBT 模块 1200V 225A Dual
60:¥962.2628
参考库存:35160
MMRF1006HR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
50:¥3,278.2995
参考库存:35165
NVMFS5C456NLAFT3G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
5,000:¥2.4521
10,000:¥2.3617
25,000:¥2.2713
参考库存:35170

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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