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晶体管
A2P75S12M3-F参考图片

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A2P75S12M3-F

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 PTD HIGH VOLTAGE
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库存:3,901(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥471.6394
471.6394
5
¥461.04
2305.2
10
¥443.0617
4430.617
25
¥428.7672
10719.18
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
技术
Si
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Sixpack
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
454.5 W
封装 / 箱体
ACEPACK2
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
A2P75S12M3-F
商标
STMicroelectronics
安装风格
Press Fit
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
18
子类别
IGBTs
商标名
ACEPACK
商品其它信息
优势价格,A2P75S12M3-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
1:¥16.0573
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.5259
参考库存:9925
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
1,000:¥5.7178
参考库存:3087
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 4.7K 10K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:23964
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥291.4496
5:¥278.3868
10:¥269.6293
25:¥247.809
参考库存:1221
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/25 FAST IGBT FSII T
1:¥38.8042
10:¥32.9621
100:¥28.589
250:¥27.12
500:¥24.3628
参考库存:2078
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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