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晶体管
SIR624DP-T1-GE3参考图片

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SIR624DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
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库存:92,244(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥9.379
9.379
10
¥7.684
76.84
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.0737
2536.85
1,000
¥4.0002
4000.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
18.6 A
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
52 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
26 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SIR624DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥6.8365
10:¥5.5822
100:¥4.2827
500:¥3.6838
参考库存:39664
晶体管
MOSFET NFET SOT23 20V 3.2A 80MO
1:¥4.0002
10:¥2.9945
100:¥1.6159
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.05316
9,000:¥0.9831
参考库存:104731
晶体管
MOSFET P-CHANNEL -20V -6.9A 32mOhm -2.5V capable
1:¥3.842
10:¥2.9606
100:¥1.6046
1,000:¥1.2091
3,000:¥1.03734
9,000:¥0.97632
参考库存:65938
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,118.9486
2:¥1,092.0546
5:¥1,076.0651
10:¥1,060.8553
参考库存:4100
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-75
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.4464
参考库存:60852
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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