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晶体管

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APTGT35H120T3G

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存：4,836(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥543.0328
543.0328
5
¥526.0489
2630.2445
10
¥510.0594
5100.594
25
¥487.0865
12177.1625
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Full Bridge
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
208 W
封装 / 箱体
SP3-32
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，APTGT35H120T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PDTC144TU,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:8705
PDTA144EU,135
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-11
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:7397
IPB80N06S405ATMA2
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥7.7631
500:¥6.8591
1,000:¥5.4127
参考库存:6064
IPW65R150CFDAFKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 22.4A TO247-3
1:¥42.1829
10:¥35.8097
100:¥31.0411
250:¥29.4252
500:¥26.4307
参考库存:5401
IRGP4650D-EPBF
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast IGBT 50A 268W 104nC
1:¥60.8618
10:¥55.0197
25:¥52.4772
100:¥45.5616
参考库存:4608

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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